海盗船复仇者4G_DDR3_1600散热怎么样
作者：king发布时间：2023-08-03分类：电脑问答浏览：60
导读： 无需担心功耗[定义一：功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。]问题，在内存[内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。]方面不同于其他的硬件，...
无需担心功耗[定义一：功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。]问题，在内存[内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。]方面不同于其他的硬件，随着技术的升级内存在提升速度的同时由于技术精细程度的提高造成的所需的的电压和功耗反而降低了，这款内存还配备有大面积的散热片[散热片是一种给电器中的易发热电子元件散热的装置，多由铝合金，黄铜或青铜做成板状，片状，多片状等，如电脑中CPU**处理器要使用相当大的散热片，电视机中电源管，行管，功放器中的功放管都要使用散热片。]完全没必要担心热功耗问题。
DDR3内存在达到高带宽[带宽应用的领域非常多，可以用来标识信号传输的数据传输能力、标识单位时间内通过链路的数据量、标识显示器的显示能力。]的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗**别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。1、逻辑[逻辑就是思维的规律，逻辑学就是关于思维规律的学说。]Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片[芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（英语：integrated circuit, IC）。]的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装[封装就是将抽象得到的数据和行为（或功能）相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。](Packages) DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发[突发，拼音是tū fā，是指出人意外地发生的事件。]长度(BL，Burst Length) 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输[传输是一个汉语词语，意义为传递，输送。]周期[事物在运动、变化过程中，某些特征多次重复出现，其连续两次出现所经过的时间叫“周期”。](BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。4、寻址时序[时间的先后顺序或气候时节或计算机的时间顺序。](Timing) 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。86％的科技爱好者也看的内容：神舟电脑官网维修点？什么样的香蕉好吃——芭蕉香蕉的区别怎么选香蕉？小米随身Wifi和360随身Wifi2哪个好？三星s24d300hl显示器怎么调电脑无法找到驱动如何解决？路滑竿子新手推荐？在京东商城上买电脑配件，回来后自己组装。这样的装机方式划算么？钓罗非鱼最简单的方法？
DDR3内存在达到高带宽[带宽应用的领域非常多，可以用来标识信号传输的数据传输能力、标识单位时间内通过链路的数据量、标识显示器的显示能力。]的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗**别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。1、逻辑[逻辑就是思维的规律，逻辑学就是关于思维规律的学说。]Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片[芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（英语：integrated circuit, IC）。]的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装[封装就是将抽象得到的数据和行为（或功能）相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。](Packages) DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发[突发，拼音是tū fā，是指出人意外地发生的事件。]长度(BL，Burst Length) 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输[传输是一个汉语词语，意义为传递，输送。]周期[事物在运动、变化过程中，某些特征多次重复出现，其连续两次出现所经过的时间叫“周期”。](BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。4、寻址时序[时间的先后顺序或气候时节或计算机的时间顺序。](Timing) 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。86％的科技爱好者也看的内容：神舟电脑官网维修点？什么样的香蕉好吃——芭蕉香蕉的区别怎么选香蕉？小米随身Wifi和360随身Wifi2哪个好？三星s24d300hl显示器怎么调电脑无法找到驱动如何解决？路滑竿子新手推荐？在京东商城上买电脑配件，回来后自己组装。这样的装机方式划算么？钓罗非鱼最简单的方法？